Transistors. Page 68 sur 114. Avtronic

Transistor MOSFET canal-N FQPF9N50CF

5.66€ TTC

46 En stock

Transistor MOSFET canal-N 500V 9A/36Ap 44W. Résistance passante RDSon : 0.65 Ohms (5.4A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor FQPF9N90C

8.96€ TTC

67 En stock

Transistor FQPF9N90C N-MOS 900V 8AIDp:32A 68W 1.12R(2.8A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 14pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FQT4N20LTF

1.85€ TTC

10 En stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 0.85A/3.4Ap 2.2W. Résistance passante RDSon : 1.1 Ohms

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Tarifs dégressifs

Transistor FQU11P06

3.19€ TTC

33 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -9.4A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.15 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

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Tarifs dégressifs

Transistor FQU20N06L

3.08€ TTC

35 En stock

Transistor MOSFET canal N 60V 17.2/70Ap 2.5W 38W 0.46R (10.9A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Code constructeur: FQU20N06LTU. Type de boîtier: I-PAK (TO-251). Boîtier: TO-251AA (I-PAK). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 60V. Id(T:25): 17.2A. Puissance: 38 W. Id(T:100): 10.9A. Id(imp): 68.8 Ap. Idss (min): 1 uA

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Tarifs dégressifs

Transistor FS10KM-12

6.33€ TTC

71 En stock

Transistor FS10KM-12 N-MOS+Z 600V 10A 40W <0.9R(5A). Power MOSFET(F). HIGH-SPEED SW.. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220FN. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9.

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Tarifs dégressifs

Transistor FS10TM12

9.74€ TTC

1 En stock

Transistor FS10TM12 N-MOS 600V 10A/30Ap 65W 0.72R. Ifsm: 30App. Constructeur: Mitsubishi. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.72. Courant impulsion: 30 Ap. Puissance: 65 W

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Tarifs dégressifs

Transistor FS12KM-5

3.42€ TTC

40 En stock

Transistor FS12KM-5 N-MOS+Z 250V 12A/36Ap. 35W<0.32R. Power MOSFET. HIGH-Speed SW. td(on):18nS. td(off):80nS. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.32. Courant impulsion: 36 A

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Tarifs dégressifs

Transistor FS12UM-5

3.25€ TTC

74 En stock

Transistor FS12UM-5 N-MOS+Z 250V 12A/36Ap. 100W<0.32R. Power MOSFET. HIGH-Speed SW. td(on):18nS. td(off):80nS. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.32. Courant impulsion: 36 A

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Tarifs dégressifs

Transistor FS7KM-18A

9.97€ TTC

4 En stock

Transistor FS7KM-18A N-MOS+Z 900V 7A/21Ap. 40W 1.54R. Power MOSFET(F). HIGH-SPEED SW.. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220FN. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A. Rds (Ohms): 1.54. Courant impulsion: 21 Ap. Puissance: 40 W

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Tarifs dégressifs

Transistor FZ1200R12HP4

943.95€ TTC

8 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 1200V 1200A 7.15KW Icrm:2400A. Boîtier: 130x140x38mm. VCE(sat)1.7V (Ic=1200A. VGE=15V. 25°C). Td(on)0.41uS / Td(off)0.92uS

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Tarifs dégressifs

Transistor FZ1200R17KF6CB2

1,436.40€ TTC

11 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 1700V 1200A 9.6KW Icrm:2400A. Boîtier: 130x140x38mm. VCE(sat)2.6V (Ic=1200A. VGE=15V. 25°C). Td(on)0.3uS / Td(off)1.1uS

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Tarifs dégressifs

Transistor FZT949

4.70€ TTC

71 En stock

Transistor PNP CMS 50/30V 5.5A/20Ap. 3W 100MHz. Constructeur: ZETEX. Code constructeur: FZT949TA. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SOT-223 (TO-226). Boîtier: SOT223. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 30V. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. Consommation 5.5A. Puissance: 3W. Ic(puls): 20A. FT: 100MHz. VCE(sat): 0.35V. HFE(mi

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Tarifs dégressifs

Transistor GEN561

14.28€ TTC

12 En stock

Transistor bipolaire PNP (au germanium). 250V 10A 5W.

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Tarifs dégressifs

Transistor GF506

1.12€ TTC

50 En stock

Transistor bipolaire PNP (au germanium). 25V 170MHz VHF.

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Tarifs dégressifs

Transistor GJ9971

3.98€ TTC

20 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de Drain maxi: 25A. Puissance: 39W. Rds: 0.036 Ohm. Boîtier: TO252. Logic Level.

0

Tarifs dégressifs

Transistor GSB772S

1.51€ TTC

250 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 3A. Boîtier: hFE: 100-400. Boîtier: TO-92. Fréquence maxi: 80 MHz. Puissance: 0.4W.

0

Tarifs dégressifs

Transistor GT20D101

64.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 250V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 180W. Boîtier: TO-3PL. Ampli audio

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Tarifs dégressifs

Transistor GT20D201

50.85€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT P 250V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 180W. Boîtier: TO-3PL. Ampli audio

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Tarifs dégressifs

Transistor GT30F124

7.06€ TTC

Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 300V 30A/200Ap 25W Vce(sat)2.3V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F124. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-220FP. Boîtier: TO-220SIS. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 300 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 25 W. VCE(sat): 2,3 V. VCE(sat)max.: 2,3 V. Diode CE: No. Diode au germaniu

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Tarifs dégressifs

Transistor GT30F131

8.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

N-IGBT 360V 30A/200Ap 140W Vce(sat)1.9V. Constructeur: TOSHIBA. Code constructeur: GT30F131. Implantation: Felület szerelt (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO-220SM (MXN). Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 360 V. Consommation 30 A. Ic(puls): 200 A. Puissance: 140 W. VCE(sat): 1,9 V. VCE(sat)max.: 1,9 V. Diode CE: No

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor MOSFET canal-N FQPF9N50CF

Transistor MOSFET canal-N 500V 9A/36Ap 44W. Résistance passante RDSon : 0.65 Ohms (5.4A)

Transistor FQPF9N90C

Transistor FQPF9N90C N-MOS 900V 8A*IDp:32A* 68W 1.12R(2.8A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 14pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A

Transistor MOSFET canal-N FQT4N20LTF

Transistor MOSFET canal-N 200V 0.85A/3.4Ap 2.2W. Résistance passante RDSon : 1.1 Ohms

Transistor FQU11P06

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -60V. Courant de drain maxi: -9.4A. Puissance: 38W. Résistance passante (Rds)<0.15 Ohm. Boîtier: TO-251AA (I-PAK).

Transistor FQU20N06L

Transistor FS10KM-12

Transistor FS10KM-12 N-MOS+Z 600V 10A 40W <0.9R(5A). Power MOSFET(F). HIGH-SPEED SW.. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220FN. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9.

Transistor FS10TM12

Transistor FS10TM12 N-MOS 600V 10A/30Ap 65W 0.72R. Ifsm: 30App. Constructeur: Mitsubishi. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A. Rds (Ohms): 0.72. Courant impulsion: 30 Ap. Puissance: 65 W

Transistor FS12KM-5

Transistor FS12KM-5 N-MOS+Z 250V 12A/36Ap. 35W<0.32R. Power MOSFET. HIGH-Speed SW. td(on):18nS. td(off):80nS. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.32. Courant impulsion: 36 A

Transistor FS12UM-5

Transistor FS12UM-5 N-MOS+Z 250V 12A/36Ap. 100W<0.32R. Power MOSFET. HIGH-Speed SW. td(on):18nS. td(off):80nS. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 12 A. Rds (Ohms): 0.32. Courant impulsion: 36 A

Transistor FS7KM-18A

Transistor FS7KM-18A N-MOS+Z 900V 7A/21Ap. 40W 1.54R. Power MOSFET(F). HIGH-SPEED SW.. Constructeur: MIT. Boîtier: TO-220FN. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7 A. Rds (Ohms): 1.54. Courant impulsion: 21 Ap. Puissance: 40 W

Transistor FZ1200R12HP4

Transistor IGBT N (+diode) 1200V 1200A 7.15KW Icrm:2400A. Boîtier: 130x140x38mm. VCE(sat)1.7V (Ic=1200A. VGE=15V. 25°C). Td(on)0.41uS / Td(off)0.92uS

Transistor FZ1200R17KF6CB2

Transistor IGBT N (+diode) 1700V 1200A 9.6KW Icrm:2400A. Boîtier: 130x140x38mm. VCE(sat)2.6V (Ic=1200A. VGE=15V. 25°C). Td(on)0.3uS / Td(off)1.1uS

Transistor FZT949

Transistor GEN561

Transistor bipolaire PNP (au germanium). 250V 10A 5W.

Transistor GF506

Transistor bipolaire PNP (au germanium). 25V 170MHz VHF.

Transistor GJ9971

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de Drain maxi: 25A. Puissance: 39W. Rds: 0.036 Ohm. Boîtier: TO252. Logic Level.

Transistor GSB772S

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant collecteur maxi: 3A. Boîtier: hFE: 100-400. Boîtier: TO-92. Fréquence maxi: 80 MHz. Puissance: 0.4W.

Transistor GT20D101

Transistor IGBT N 250V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 180W. Boîtier: TO-3PL. Ampli audio

Transistor GT20D201

Transistor IGBT P 250V. Courant de collecteur maxi: 20A. Puissance: 180W. Boîtier: TO-3PL. Ampli audio

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Transistor FQPF9N90C N-MOS 900V 8AIDp:32A 68W 1.12R(2.8A). DMOS. QFET. Fast switch. Low gate charge 40nC. Low Crss 14pF. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220F. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A